一种In2S3/ZnO纳米片阵列薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810638799.5

申请日：

2018-06-20

公开(公告)号：

CN108516577A

公开(公告)日：

2018-09-11

发明(设计)人：

陈正新

申请人：

申请人地址：

528427 广东省广州市南头镇南和西路122号

IPC主分类号：

C01G902

IPC分类号：

C01G1500

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-11	公开	公开
2021-12-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G 9/02 申请公布日:20180911

共 50 条

[1]

一种In2S3纳米薄片阵列材料的制备方法 [P].

隋美蓉 ;

田旭 ;

高昌盛 ;

时梅林 ;

王永 .

中国专利 :CN114105188A ,2022-03-01

[2]

一种制备多孔In2S3薄膜的方法 [P].

陈飞 ;

雷引林 ;

罗云杰 ;

陈珏 .

中国专利 :CN102225847A ,2011-10-26

[3]

采用脉冲电磁场制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法 [P].

王建中 ;

唐立丹 ;

王冰 ;

杜慧玲 ;

齐锦刚 .

中国专利 :CN102693844A ,2012-09-26

[4]

一种Y掺杂ZnO纳米棒阵列制备方法 [P].

夏冬林 ;

秦可 .

中国专利 :CN108545960A ,2018-09-18

[5]

一种化学水浴沉积制备In2S3薄膜的方法 [P].

孟亮 ;

孪兆菊 ;

黄六一 .

中国专利 :CN102643032A ,2012-08-22

[6]

一种ZnO纳米棒阵列的制备方法 [P].

王平 ;

宗小林 ;

吴晓玲 .

中国专利 :CN101550028A ,2009-10-07

[7]

一种TiO2纳米阵列薄膜及其制备方法 [P].

鄂磊 ;

赖柳媛 ;

赵丹 ;

赵巍 ;

李天昊 .

中国专利 :CN109665559A ,2019-04-23

[8]

In2S3/NaTaO3复合纳米光催化剂的制备方法 [P].

施伟东 ;

罗必富 ;

陈敏 .

中国专利 :CN106492841A ,2017-03-15

[9]

具有高比表面积的超薄ZnO纳米片阵列的制备方法 [P].

何冬青 ;

于平 ;

刘洪成 ;

王丽杰 ;

王琦 ;

王珏 ;

于倩 ;

阚侃 ;

陈明月 .

中国专利 :CN108893728A ,2018-11-27

[10]

一种In2S3薄膜及其制备方法和应用 [P].

岳文瑾 ;

魏飞宇 ;

王子尧 ;

聂光军 .

中国专利 :CN111268719B ,2020-06-12

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