采用脉冲电磁场制备Al掺杂ZnO纳米片阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210172680.6

申请日：

2012-05-30

公开(公告)号：

CN102693844A

公开(公告)日：

2012-09-26

发明(设计)人：

王建中唐立丹王冰杜慧玲齐锦刚

申请人：

申请人地址：

121001 辽宁省锦州市古塔区士英街169号

IPC主分类号：

H01G920

IPC分类号：

代理机构：

锦州辽西专利事务所 21225

代理人：

李辉

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101671094990 IPC(主分类):H01G 9/20 专利号:ZL2012101726806 申请日:20120530 授权公告日:20141203 终止日期:20150530
2014-12-03	授权	授权
2012-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101349727618 IPC(主分类):H01G 9/20 专利申请号:2012101726806 申请日:20120530
2012-09-26	公开	公开
2014-11-05	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706919620 IPC(主分类):H01G 9/20 专利申请号:2012101726806 变更事项:发明人变更前:王建中;唐立丹;王冰;杜慧玲;齐锦刚变更后:王冰;唐立丹;王建中;彭淑静;齐锦刚;杜慧玲

共 50 条

[1]

采用脉冲电磁场制备ZnO纳米棒阵列的方法 [P].

王建中 ;

唐立丹 ;

王冰 ;

杜慧玲 ;

齐锦刚 ;

彭淑静 ;

于景媛 .

中国专利 :CN102515248A ,2012-06-27

[2]

一种In2S3/ZnO纳米片阵列薄膜的制备方法 [P].

陈正新 .

中国专利 :CN108516577A ,2018-09-11

[3]

一种Y掺杂ZnO纳米棒阵列制备方法 [P].

夏冬林 ;

秦可 .

中国专利 :CN108545960A ,2018-09-18

[4]

草酸钴脉冲电磁场制备方法 [P].

王建中 ;

杜慧玲 ;

周大奇 ;

齐锦刚 ;

何力佳 ;

曹丽云 .

中国专利 :CN101612669A ,2009-12-30

[5]

提供脉冲电磁场的按摩仪器 [P].

朴相炫 ;

姜雄澈 ;

赵修玄 ;

全喆鎭 ;

孔悳铉 .

中国专利 :CN210096304U ,2020-02-21

[6]

ZnO/I掺杂ZnO核/壳结构纳米线阵列的制备方法 [P].

朱雨富 ;

周广宏 ;

刘磊 ;

林岳宾 .

中国专利 :CN104851942B ,2015-08-19

[7]

脉冲电磁场制备锐钛矿型纳米二氧化钛的方法 [P].

彭淑静 ;

王建中 ;

唐立丹 ;

王冰 ;

齐锦刚 ;

张震斌 .

中国专利 :CN104891566B ,2015-09-09

[8]

一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法 [P].

常永勤 ;

杨林 ;

崔兴达 .

中国专利 :CN101704509A ,2010-05-12

[9]

用于施加脉冲电磁场的系统和方法 [P].

A·弗朗克-奥布雷贡 ;

李俊能 ;

卢威铨 ;

J·H·弗勒利希 ;

C·拜尔 ;

黎天民 .

中国专利 :CN107847754B ,2018-03-27

[10]

一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法 [P].

顾有松 ;

邱英 ;

秦子 ;

张跃 .

中国专利 :CN102509648A ,2012-06-20

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