一种Bi2S3纳米材料的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201810221773.0
申请日
2018-03-18
公开(公告)号
CN108358239A
公开(公告)日
2018-08-03
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
226001 江苏省南通市启东市经济开发区凯旋路1号
IPC主分类号
C01G2900
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
一种In2S3纳米薄片阵列材料的制备方法 [P]. 
隋美蓉 ;
田旭 ;
高昌盛 ;
时梅林 ;
王永 .
中国专利 :CN114105188A ,2022-03-01
[2]
一种带电Bi2S3纳米棒@RGO复合结构的制备方法 [P]. 
王立科 ;
茅陆荣 .
中国专利 :CN105417579A ,2016-03-23
[3]
一种Bi12O17Cl2/Bi2O2CO3复合纳米材料的制备方法 [P]. 
鲍亮 ;
张怀伟 ;
白王峰 ;
吴诗婷 ;
元勇军 ;
陈逸凡 .
中国专利 :CN112678868B ,2021-04-20
[4]
一种圆饼状Bi2S3热电材料及其制备方法 [P]. 
阮迪清 ;
程琳 ;
刘爱萍 .
中国专利 :CN113666416A ,2021-11-19
[5]
一种Bi2S3纳米粉体的制备方法 [P]. 
张波萍 ;
赵立东 ;
李敬锋 ;
刘玮书 .
中国专利 :CN101269837A ,2008-09-24
[6]
一种花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法 [P]. 
鲍亮 ;
张怀伟 ;
白王峰 ;
吴诗婷 ;
元勇军 ;
陈逸凡 .
中国专利 :CN112846222B ,2021-05-28
[7]
Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法 [P]. 
周威 ;
钟福新 ;
劳昌玲 ;
王家钰 ;
黎燕 ;
莫德清 .
中国专利 :CN112939483B ,2021-06-11
[8]
一种Bi位掺杂N型Bi2S3热电材料的制备方法 [P]. 
杜学丽 ;
史荣娜 ;
王学伟 .
中国专利 :CN104934527B ,2015-09-23
[9]
一种Bi2Sr2CaCu2O3超导纳米材料的制备方法 [P]. 
张辉 ;
李兵兵 .
中国专利 :CN104118909A ,2014-10-29
[10]
一种CdS微纳米材料的制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111087012A ,2020-05-01