碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610293108.3

申请日：

2016-05-05

公开(公告)号：

CN105964276A

公开(公告)日：

2016-09-28

发明(设计)人：

何军程中州

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

IPC主分类号：

B01J2704

IPC分类号：

C01B1302

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

巩克栋;侯潇潇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101684684102 IPC(主分类):B01J 27/04 专利申请号:2016102931083 申请日:20160505
2016-09-28	公开	公开
2019-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用 [P].

刘苏莉 ;

陈昌云 ;

韩敏 ;

包建春 .

中国专利 :CN104362000B ,2015-02-18

[2]

超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用 [P].

芮一川 ;

徐雨田 ;

金作明 ;

王晓洁 .

中国专利 :CN114380325A ,2022-04-22

[3]

一种SnS2纳米片、制备方法及其应用 [P].

吴正翠 ;

薛业静 ;

李保贰 .

中国专利 :CN104096530A ,2014-10-15

[4]

碳量子点的制备方法、碳量子点及应用 [P].

赵青山 ;

孔德敏 ;

唐丽莎 ;

刘凯 ;

吴一宁 ;

吴文婷 ;

戴彩丽 ;

吴明铂 .

中国专利 :CN115029715A ,2022-09-09

[5]

表面富硒的NiSe2纳米片、其制备方法及用途 [P].

何军 ;

王枫梅 ;

程中州 .

中国专利 :CN105947995A ,2016-09-21

[6]

一种SnS2纳米片负载石墨烯基纳米复合材料的制备方法 [P].

宋品 ;

赵峰 .

中国专利 :CN112786858A ,2021-05-11

[7]

一种SnS2量子点/Sn3O4纳米片复合催化剂的制备方法和应用 [P].

徐海青 ;

王健 ;

李爱平 ;

洪坤 ;

李进 ;

吴彬 ;

王金权 ;

刘雪梅 ;

朱秀芳 ;

郭探 ;

杨勇 .

中国专利 :CN114797899A ,2022-07-29

[8]

氮掺杂碳纳米片负载氧化亚铁量子点的氧还原电催化剂、其制备方法及应用 [P].

王亮 ;

吴美莹 ;

吴秀珍 .

中国专利 :CN113845104A ,2021-12-28

[9]

氮掺杂碳纳米片负载氧化亚铁量子点的氧还原电催化剂、其制备方法及应用 [P].

王亮 ;

吴美莹 ;

吴秀珍 .

中国专利 :CN113845104B ,2024-01-16

[10]

一种石墨烯量子点/SnS2纳米片复合光催化剂的制备方法 [P].

刘勇平 ;

米喜红 ;

吕慧丹 ;

耿鹏 ;

王吉祥 ;

林剑飞 .

中国专利 :CN106994355A ,2017-08-01

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