一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110344123.7

申请日：

2021-03-31

公开(公告)号：

CN113151858A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

刘勇平庄杨吕慧丹李伟黄成王子良

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学

IPC主分类号：

C25B11091

IPC分类号：

C25B104

代理机构：

东莞市汇橙知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44571

代理人：

黎敏强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 11/091 申请日:20210331
2021-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种P掺杂SnS<sub>2</sub>纳米片阵列光电催化剂及其制备方法 [P].

刘勇平 ;

庄杨 ;

吕慧丹 ;

李伟 ;

黄成 ;

王子良 .

中国专利 :CN113151858B ,2024-02-06

[2]

一种SnS2/C/Si三元纳米阵列光电催化剂及其制备方法 [P].

吴玉程 ;

王博 ;

吕珺 ;

徐光青 ;

汪冬梅 ;

舒霞 .

中国专利 :CN111939934B ,2020-11-17

[3]

一种SnS2量子点/Si二元纳米阵列光电催化剂及其制备方法 [P].

吴玉程 ;

王博 ;

吕珺 ;

徐光青 ;

舒霞 ;

汪冬梅 .

中国专利 :CN111939935A ,2020-11-17

[4]

一种S掺杂WP2纳米片阵列电催化剂及其制备方法 [P].

刘勇平 ;

刘威 ;

吕慧丹 ;

耿鹏 ;

陈丹杨 ;

班如静 .

中国专利 :CN111495399A ,2020-08-07

[5]

一种自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化剂及其制备方法 [P].

刘勇平 ;

刘威 ;

吕慧丹 ;

耿鹏 ;

庄杨 ;

肖智中 .

中国专利 :CN111530483A ,2020-08-14

[6]

一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

陈丹杨 ;

刘勇平 ;

林剑飞 ;

庄杨 ;

王子良 .

中国专利 :CN113066670A ,2021-07-02

[7]

一种三维Co掺杂WP2纳米片阵列电催化剂及其制备方法 [P].

刘勇平 ;

刘威 ;

吕慧丹 ;

耿鹏 ;

李时庆 ;

王子良 .

中国专利 :CN111514912A ,2020-08-11

[8]

一种多孔黑磷纳米片光电催化剂的制备方法 [P].

翟新萍 ;

赵敏 ;

邵雅斌 ;

李青 ;

何芳 ;

罗雯 .

中国专利 :CN118356980A ,2024-07-19

[9]

一种光电催化剂及其制备方法 [P].

刘俊利 ;

张瑜 ;

葛怀云 .

中国专利 :CN120149433A ,2025-06-13

[10]

一种光电催化剂及其制备方法 [P].

陈庄 ;

张一梅 ;

张雅新 ;

许振扬 .

中国专利 :CN112973744B ,2021-06-18

← 1 2 3 4 5 →