一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010384843.1

申请日：

2020-05-09

公开(公告)号：

CN111584241B

公开(公告)日：

2020-08-25

发明(设计)人：

吴玲余海东刘春阳李豪颜家保俞丹青

申请人：

申请人地址：

430081 湖北省武汉市和平大道947号

IPC主分类号：

H01G920

IPC分类号：

H01G9042

代理机构：

重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229

代理人：

李靖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-25	公开	公开
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/20 申请日:20200509
2021-08-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种超薄树叶型WO3纳米片阵列光阳极的制备方法 [P].

张焕晴 ;

徐蓉蓉 ;

孙宏刚 ;

郑纪存 .

中国专利 :CN112951608A ,2021-06-11

[2]

一种WO3纳米片阵列的制备方法 [P].

刘勇平 ;

杨之书 ;

吕慧丹 ;

耿鹏 ;

林剑飞 ;

张梦莹 ;

米喜红 .

中国专利 :CN107117831A ,2017-09-01

[3]

一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

陈丹杨 ;

刘勇平 ;

林剑飞 ;

庄杨 ;

王子良 .

中国专利 :CN113066670A ,2021-07-02

[4]

一种WO3纳米片阵列薄膜制备方法及其应用研究 [P].

周保学 ;

曾庆意 ;

白晶 ;

李金花 ;

夏丽刚 .

中国专利 :CN105384358B ,2016-03-09

[5]

一种CuWO4/WO3异质结构纳米片阵列薄膜的制备方法 [P].

徐芳 ;

梅晶晶 ;

陈会敏 ;

白丹丹 ;

蒋凯 ;

武大鹏 ;

高志勇 .

中国专利 :CN105568314A ,2016-05-11

[6]

一种WO3纳米片层材料的制备方法 [P].

李美成 ;

崔鹏 ;

宋丹丹 ;

赵兴 ;

王恬悦 ;

李垚垚 ;

范汇洋 .

中国专利 :CN104724758B ,2015-06-24

[7]

一种Au修饰TiO2纳米棒阵列光阳极的制备方法 [P].

俞红梅 ;

李永坤 ;

付丽 ;

张长昆 ;

邵志刚 ;

衣宝廉 .

中国专利 :CN103872174A ,2014-06-18

[8]

一种WO3水合物纳米薄膜的制备方法 [P].

黄剑锋 ;

李嘉胤 ;

曹丽云 ;

胡宝云 ;

吴建鹏 .

中国专利 :CN101767938A ,2010-07-07

[9]

一种联吡啶‑钴修饰的WO3纳米片光电极的制备方法 [P].

马德琨 ;

姜子龙 ;

马春艳 ;

黄少铭 .

中国专利 :CN106757123A ,2017-05-31

[10]

一种表面富电子的WO3纳米片及其制备方法和应用 [P].

高山 ;

赵薇 ;

杨朋鑫 .

中国专利 :CN113578311A ,2021-11-02

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