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一种表面富电子的WO3纳米片及其制备方法和应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110649217.5
申请日
:
2021-06-10
公开(公告)号
:
CN113578311A
公开(公告)日
:
2021-11-02
发明(设计)人
:
高山
赵薇
杨朋鑫
申请人
:
申请人地址
:
230031 安徽省合肥市肥西路3号
IPC主分类号
:
B01J2330
IPC分类号
:
B01J3500
B01J3502
B01J3708
C07C2915
C07C3104
代理机构
:
合肥信诚兆佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34159
代理人
:
李玉宁
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 23/30 申请日:20210610
2021-11-02
公开
公开
共 50 条
[1]
一种WO3气敏材料及其制备方法和应用
[P].
梁士明
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梁士明
;
胡海健
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胡海健
;
马登学
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马登学
;
夏其英
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夏其英
.
中国专利
:CN111994957A
,2020-11-27
[2]
一种WO3纳米片阵列薄膜制备方法及其应用研究
[P].
周保学
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周保学
;
曾庆意
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曾庆意
;
白晶
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白晶
;
李金花
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李金花
;
夏丽刚
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夏丽刚
.
中国专利
:CN105384358B
,2016-03-09
[3]
多层纳米板状WO3及其制备方法和应用
[P].
李赫
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李赫
;
张侃
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张侃
;
石晓琴
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石晓琴
;
年晓龙
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年晓龙
.
中国专利
:CN114180630A
,2022-03-15
[4]
一种WO3纳米线薄膜及其水热制备方法和应用
[P].
高国华
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高国华
;
祁万钰
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祁万钰
;
吴广明
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吴广明
;
王浩然
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王浩然
;
朱琼
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朱琼
;
沈军
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沈军
;
岑定成
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岑定成
;
于成龙
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于成龙
.
中国专利
:CN109879609A
,2019-06-14
[5]
一种WO3纳米片层材料的制备方法
[P].
李美成
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李美成
;
崔鹏
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崔鹏
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宋丹丹
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宋丹丹
;
赵兴
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赵兴
;
王恬悦
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王恬悦
;
李垚垚
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李垚垚
;
范汇洋
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范汇洋
.
中国专利
:CN104724758B
,2015-06-24
[6]
一种WO3纳米片阵列的制备方法
[P].
刘勇平
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刘勇平
;
杨之书
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杨之书
;
吕慧丹
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吕慧丹
;
耿鹏
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耿鹏
;
林剑飞
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林剑飞
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张梦莹
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张梦莹
;
米喜红
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米喜红
.
中国专利
:CN107117831A
,2017-09-01
[7]
一种超细WO3纳米线的制备方法及其应用
[P].
吕慧丹
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吕慧丹
;
张梦莹
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张梦莹
;
刘勇平
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刘勇平
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闫艺
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闫艺
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杨之书
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杨之书
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耿鹏
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耿鹏
.
中国专利
:CN106390991A
,2017-02-15
[8]
一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法
[P].
吴玲
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吴玲
;
余海东
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余海东
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刘春阳
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刘春阳
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李豪
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李豪
;
颜家保
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颜家保
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俞丹青
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俞丹青
.
中国专利
:CN111584241B
,2020-08-25
[9]
一种Al/WO3 纳米复合薄膜及其制备方法和应用
[P].
刘阳思
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刘阳思
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席晓丽
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席晓丽
;
沈越岗
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沈越岗
;
樊佑书
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樊佑书
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赵林艳
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赵林艳
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聂祚仁
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聂祚仁
.
中国专利
:CN112156769A
,2021-01-01
[10]
一种序构超薄Cs<sub>0.33</sub>WO<sub>3</sub>纳米片及其制备方法和应用
[P].
论文数:
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机构:
张高科
;
论文数:
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机构:
王小田
;
论文数:
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机构:
李源
.
中国专利
:CN119349641A
,2025-01-24
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