一种联吡啶‑钴修饰的WO3纳米片光电极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611207744.6

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN106757123A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

马德琨姜子龙马春艳黄少铭

申请人：

申请人地址：

325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器

IPC主分类号：

C25B104

IPC分类号：

C25B1104 B82Y4000 B82Y3000

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

黄浩威

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729179955 IPC(主分类):C25B 1/04 专利申请号:2016112077446 申请日:20161223
2022-12-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25B 1/04 申请日:20161223 授权公告日:20181002 终止日期:20211223
2017-05-31	公开	公开
2018-10-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多孔的WO3光电极的制备方法 [P].

张学亮 ;

蒋迪 ;

刘仪柯 ;

罗大军 ;

李杨 .

中国专利 :CN111058057A ,2020-04-24

[2]

一种WO3纳米片阵列的制备方法 [P].

刘勇平 ;

杨之书 ;

吕慧丹 ;

耿鹏 ;

林剑飞 ;

张梦莹 ;

米喜红 .

中国专利 :CN107117831A ,2017-09-01

[3]

一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法 [P].

吴玲 ;

余海东 ;

刘春阳 ;

李豪 ;

颜家保 ;

俞丹青 .

中国专利 :CN111584241B ,2020-08-25

[4]

一种含缺陷的WO3光电极的制备方法 [P].

张学亮 ;

蒋迪 ;

刘仪柯 ;

李杨 ;

罗大军 .

中国专利 :CN110965073A ,2020-04-07

[5]

一种WO3纳米片层材料的制备方法 [P].

李美成 ;

崔鹏 ;

宋丹丹 ;

赵兴 ;

王恬悦 ;

李垚垚 ;

范汇洋 .

中国专利 :CN104724758B ,2015-06-24

[6]

一种臭氧改性WO3薄膜光电极的方法 [P].

熊贤强 ;

武承林 ;

范利亚 ;

李江山 .

中国专利 :CN110342833A ,2019-10-18

[7]

一种微波插层制备WO3纳米片的方法 [P].

俞鲜鲜 ;

张骋 ;

郑晓虹 .

中国专利 :CN111717936A ,2020-09-29

[8]

一种木材/WO3纳米片复合材料的制备方法 [P].

李坚 ;

惠彬 ;

李国梁 ;

吴电秀 ;

韩光辉 ;

李春梅 .

中国专利 :CN104802248B ,2015-07-29

[9]

一种磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法 [P].

刘长海 ;

罗恒 ;

陈智栋 .

中国专利 :CN109402656B ,2019-03-01

[10]

一种缺陷WO3光阳极的制备方法 [P].

施伟东 ;

陈必义 ;

李丹 ;

陈雪 ;

李琪 ;

杨志东 .

中国专利 :CN114134515A ,2022-03-04

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