用于降低钨电阻率的方法和设备

被引：0

申请号：

CN202180009087.7

申请日：

2021-09-13

公开(公告)号：

CN115004335A

公开(公告)日：

2022-09-02

发明(设计)人：

侯文婷雷建新乔斯林甘·罗摩林甘普拉沙斯·科斯努威廉·R·约翰逊

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

C23C1416 C23C1434 C23C1435

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

用于钨膜的低电阻率物理气相沉积的系统和方法 [P].

乔斯林甘·罗摩林甘 ;

清·X·源 ;

王志勇 ;

雷建新 ;

唐先民 .

中国专利 :CN108140560A ,2018-06-08

[2]

用于形成低电阻率钨特征的方法 [P].

王珮琪 ;

程诚 ;

吴凯 ;

河仁守 ;

李相进 .

美国专利 :CN118140301A ,2024-06-04

[3]

硅片真实电阻率的测试方法和电阻率测试设备 [P].

陈鑫洪 ;

宗贝贝 ;

许文理 ;

王永谦 ;

陈刚 .

中国专利 :CN117783671A ,2024-03-29

[4]

低电阻率钨膜及制造方法 [P].

王飞虎 ;

李正周 ;

岑羲 ;

袁智博 ;

雷伟 ;

吴凯 ;

周春明 ;

陈哲擘 .

中国专利 :CN114946012A ,2022-08-26

[5]

低电阻率钨膜及制造方法 [P].

王飞虎 ;

李正周 ;

岑羲 ;

袁智博 ;

雷伟 ;

吴凯 ;

周春明 ;

陈哲擘 .

美国专利 :CN114946012B ,2025-09-26

[6]

用于沉积具有降低电阻率及改良表面形态的钨膜的方法 [P].

吴凯 ;

阿米特·卡恩德尔沃尔 ;

阿维格尼诺斯·V·格拉托斯 .

中国专利 :CN102265383B ,2011-11-30

[7]

低电阻率的等离子体增强钨成核 [P].

杨宗翰 ;

尹俊英 ;

汪荣军 ;

徐翼 ;

雷雨 ;

候文婷 ;

唐先敏 .

美国专利 :CN119522482A ,2025-02-25

[8]

用于井位和电阻率确定的设备和系统 [P].

吉恩·赛杜克斯 ;

以马利·勒让德 ;

雷扎·泰赫里安 .

中国专利 :CN101918863B ,2010-12-15

[9]

井下电阻率仪器和井下电阻率仪器的成型方法 [P].

曹季伟 ;

冯泽东 ;

贺羽 .

中国专利 :CN119644446A ,2025-03-18

[10]

用于测量钻孔泥浆电阻率的方法和设备 [P].

S·肯尼迪 ;

T·约翰逊 ;

D·麦克利恩 .

中国专利 :CN102798762A ,2012-11-28

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