用于钨膜的低电阻率物理气相沉积的系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680059853.X

申请日：

2016-10-21

公开(公告)号：

CN108140560A

公开(公告)日：

2018-06-08

发明(设计)人：

乔斯林甘·罗摩林甘清·X·源王志勇雷建新唐先民

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21203

IPC分类号：

C23C1434 H01L2102 H01L21285

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/203 申请日:20161021
2018-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

用于物理气相沉积处理以产生具有低电阻率和无不均匀度薄膜的磁铁 [P].

刘振东 ;

曹勇 ;

唐先民 ;

史林尼维斯·甘德可塔 ;

清·源 ;

穆罕默德·拉希德 .

中国专利 :CN103038864B ,2013-04-10

[2]

用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备 [P].

陈杰锋 ;

张辉 .

中国专利 :CN108950510A ,2018-12-07

[3]

用于降低钨电阻率的方法和设备 [P].

侯文婷 ;

雷建新 ;

乔斯林甘·罗摩林甘 ;

普拉沙斯·科斯努 ;

威廉·R·约翰逊 .

中国专利 :CN115004335A ,2022-09-02

[4]

用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备 [P].

陈杰锋 ;

李理 .

中国专利 :CN208667840U ,2019-03-29

[5]

用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备 [P].

白志民 ;

李萌 ;

邱国庆 ;

佘清 ;

王厚工 ;

赵梦欣 ;

丁培军 .

中国专利 :CN106637124A ,2017-05-10

[6]

低电阻率钨膜及制造方法 [P].

王飞虎 ;

李正周 ;

岑羲 ;

袁智博 ;

雷伟 ;

吴凯 ;

周春明 ;

陈哲擘 .

中国专利 :CN114946012A ,2022-08-26

[7]

压电膜的物理气相沉积 [P].

阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 ;

维杰·班·夏尔马 ;

安库尔·凯达姆 ;

巴拉特瓦·罗摩克里希南 ;

维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ;

薛元 .

中国专利 :CN112853286A ,2021-05-28

[8]

低电阻率钨膜及制造方法 [P].

王飞虎 ;

李正周 ;

岑羲 ;

袁智博 ;

雷伟 ;

吴凯 ;

周春明 ;

陈哲擘 .

美国专利 :CN114946012B ,2025-09-26

[9]

物理气相沉积设备和物理气相沉积方法 [P].

李扬德 ;

卢昆 ;

高宽 .

中国专利 :CN107723675A ,2018-02-23

[10]

经由物理气相沉积工艺沉积介电膜的方法 [P].

曾伟民 ;

清·X·源 ;

程亚娜 ;

曹勇 ;

丹尼尔·李·迪尔 ;

斯里尼瓦斯·古吉拉 ;

汪荣军 ;

唐先民 .

中国专利 :CN108064411A ,2018-05-22

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