薄膜半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610059485.7

申请日：

2002-07-10

公开(公告)号：

CN1841765A

公开(公告)日：

2006-10-04

发明(设计)人：

松村正清小穴保久阿部浩之山元良高小关秀夫蕨迫光纪

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2904

IPC分类号：

H01L29786 H01L2712

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-03-11	授权	授权
2006-10-04	公开	公开
2011-09-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101106709734 IPC(主分类):H01L 29/04 专利号:ZL2006100594857 申请日:20020710 授权公告日:20090311 终止日期:20100710

共 50 条

[1]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

松村正清 ;

小穴保久 ;

阿部浩之 ;

山元良高 ;

小关秀夫 ;

蕨迫光纪 .

中国专利 :CN1276471C ,2003-12-31

[2]

薄膜半导体器件 [P].

山口伸也 ;

波多野睦子 ;

田井光春 ;

朴成基 ;

芝健夫 .

中国专利 :CN100377365C ,2003-11-26

[3]

薄膜半导体器件 [P].

林久雄 ;

下垣内康 ;

加藤庆二 .

中国专利 :CN1155166A ,1997-07-23

[4]

半导体薄膜以及半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1165976C ,1997-11-26

[5]

薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103314444B ,2013-09-18

[6]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

[7]

薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 [P].

鬼冢达也 .

中国专利 :CN100378514C ,2005-02-09

[8]

薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法 [P].

中屿英晴 ;

根来阳一 ;

碓井节夫 .

中国专利 :CN1348200A ,2002-05-08

[9]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038937A ,2007-09-19

[10]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103329275A ,2013-09-25

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