薄膜半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN02802263.7
申请日
2002-07-10
公开(公告)号
CN1276471C
公开(公告)日
2003-12-31
发明(设计)人
松村正清 小穴保久 阿部浩之 山元良高 小关秀夫 蕨迫光纪
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L2120
IPC分类号
H01L29786
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
王永刚
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜半导体器件 [P]. 
松村正清 ;
小穴保久 ;
阿部浩之 ;
山元良高 ;
小关秀夫 ;
蕨迫光纪 .
中国专利 :CN1841765A ,2006-10-04
[2]
薄膜半导体器件及其制造方法 [P]. 
町田晓夫 ;
藤野敏夫 ;
河野正洋 .
中国专利 :CN101038937A ,2007-09-19
[3]
薄膜半导体器件及其制造方法 [P]. 
林宏 ;
川岛孝启 ;
河内玄士朗 .
中国专利 :CN103329275A ,2013-09-25
[4]
薄膜半导体器件及其制造方法 [P]. 
林宏 ;
川岛孝启 ;
河内玄士朗 .
中国专利 :CN103189990A ,2013-07-03
[5]
半导体薄膜,半导体器件及其制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
宫永昭治 ;
福永健司 .
中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31
[6]
薄膜半导体器件及其制造方法 [P]. 
小穴保久 ;
松村正清 .
中国专利 :CN1554122A ,2004-12-08
[7]
薄膜半导体器件及其制造方法 [P]. 
木村嘉伸 ;
松村正清 ;
西谷干彦 ;
平松雅人 ;
十文字正之 ;
山元良高 ;
小关秀夫 .
中国专利 :CN1568549A ,2005-01-19
[8]
半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
宫永昭治 ;
福永健司 .
中国专利 :CN100388636C ,2005-01-19
[9]
半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
宫永昭治 ;
小山润 ;
福永健司 .
中国专利 :CN1246910C ,2004-05-12
[10]
半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
宫永昭治 ;
福永健司 .
中国专利 :CN1166048A ,1997-11-26