薄膜半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02817665.0

申请日：

2002-09-06

公开(公告)号：

CN1554122A

公开(公告)日：

2004-12-08

发明(设计)人：

小穴保久松村正清

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336 H01L2120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-12-08	公开	公开
2010-07-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003243783 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:028176650 公开日:20041208

共 50 条

[1]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[2]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

松村正清 ;

小穴保久 ;

阿部浩之 ;

山元良高 ;

小关秀夫 ;

蕨迫光纪 .

中国专利 :CN1276471C ,2003-12-31

[3]

半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN100388636C ,2005-01-19

[4]

半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1166048A ,1997-11-26

[5]

薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 [P].

鬼冢达也 .

中国专利 :CN100378514C ,2005-02-09

[6]

薄膜半导体及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1162189A ,1997-10-15

[7]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038937A ,2007-09-19

[8]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103329275A ,2013-09-25

[9]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

木村嘉伸 ;

松村正清 ;

西谷干彦 ;

平松雅人 ;

十文字正之 ;

山元良高 ;

小关秀夫 .

中国专利 :CN1568549A ,2005-01-19

[10]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103189990A ,2013-07-03

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