制造非易失性存储器器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880001389.4

申请日：

2008-01-10

公开(公告)号：

CN101578706A

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

拉杰什·拉奥拉马钱德兰·穆拉利德哈

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

陆锦华;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-11	公开	公开
2021-12-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/788 申请日:20080110 授权公告日:20110518 终止日期:20210110
2011-05-18	授权	授权
2017-12-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/788 变更事项:专利权人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

洪韺玉 .

中国专利 :CN100517656C ,2007-08-29

[2]

非易失性存储器器件及其制造方法 [P].

郑丞弼 ;

朴钟浩 ;

池京求 ;

金东贤 .

中国专利 :CN1758429A ,2006-04-12

[3]

非易失性存储器及制造非易失性存储器的方法 [P].

吉野明 ;

秋山丰 .

中国专利 :CN1512564A ,2004-07-14

[4]

非易失性存储器以及非易失性存储器的制造方法 [P].

朴盛羲 .

中国专利 :CN1988161A ,2007-06-27

[5]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

韩祯希 ;

金柱亨 ;

金桢雨 ;

田尚勋 ;

郑渊硕 ;

李承铉 .

中国专利 :CN1841774A ,2006-10-04

[6]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

朴丙洙 .

中国专利 :CN102800676A ,2012-11-28

[7]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

田尚勋 ;

姜昌锡 ;

崔正达 ;

朴镇泽 ;

孙雄喜 ;

郑元晳 .

中国专利 :CN101179077A ,2008-05-14

[8]

非易失性存储器及其制造方法 [P].

陈世宪 ;

卢皓彦 ;

郭良泰 ;

柯钧耀 ;

徐英杰 .

中国专利 :CN106653760A ,2017-05-10

[9]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

李命植 ;

金眞求 .

中国专利 :CN102169834A ,2011-08-31

[10]

非易失性存储器件的制造方法 [P].

金占寿 ;

张熙显 .

中国专利 :CN101097893A ,2008-01-02

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