高深宽比的浅沟槽隔离刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410640555.2

申请日：

2014-11-13

公开(公告)号：

CN105655283A

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

符雅丽

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	公开	公开
2021-10-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20160608
2017-10-10	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760383482 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014106405552 变更事项:申请人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号变更后:100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
2016-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669300285 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014106405552 申请日:20141113

共 50 条

[1]

改善高深宽比浅沟槽隔离研磨缺陷的方法 [P].

刘书彬 ;

杨钰 .

中国专利 :CN117976530A ,2024-05-03

[2]

浅沟槽隔离结构的刻蚀方法 [P].

马一鸣 ;

杨光 ;

王京 .

中国专利 :CN117810074A ,2024-04-02

[3]

高深宽比沟槽隔离区的填充方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN102054736A ,2011-05-11

[4]

填充高深宽比沟槽隔离区的方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN102054735A ,2011-05-11

[5]

一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法 [P].

曹永峰 .

中国专利 :CN102610554A ,2012-07-25

[6]

形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法 [P].

刘乒 ;

陈海华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101459108A ,2009-06-17

[7]

硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法 [P].

霍秀敏 .

中国专利 :CN100527380C ,2008-05-14

[8]

硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法 [P].

霍秀敏 .

中国专利 :CN101202225A ,2008-06-18

[9]

高深宽比铝刻蚀方法 [P].

王泽玉 ;

沈显青 ;

李东 .

中国专利 :CN118943022A ,2024-11-12

[10]

形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法 [P].

陈海华 ;

韩秋华 ;

张海洋 ;

刘乒 .

中国专利 :CN101459107A ,2009-06-17

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