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浅沟槽隔离结构的刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211165474.2
申请日：
2022-09-23
公开(公告)号：
CN117810074A
公开(公告)日：
2024-04-02
发明(设计)人：
马一鸣
杨光
王京
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
H01L21/308
H01L21/762
C09K13/00
代理机构：
北京思创毕升专利事务所 11218
代理人：
廉莉莉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20220923 |
| 2024-04-02 | 公开 | 公开 |