共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀窗口的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111266553.8
申请日：
2021-10-28
公开(公告)号：
CN113990751B
公开(公告)日：
2025-07-18
发明(设计)人：
陈串
李东
吴智勇
申请人：
上海华力微电子有限公司
申请人地址：
201315 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号：
H01L21/308
IPC分类号：
H01L21/762
H01L21/768
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
周耀君
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-18 | 授权 | 授权 |