通孔及金属线沟槽的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010022722.9

申请日：

2010-01-08

公开(公告)号：

CN102122634A

公开(公告)日：

2011-07-13

发明(设计)人：

赵林林符雅丽韩宝东

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

王一斌;王琦

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101488981886 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010100227229 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121122
2013-04-24	授权	授权
2011-07-13	公开	公开
2011-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101100309986 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010100227229 申请日:20100108

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀窗口的方法 [P].

陈串 ;

李东 ;

吴智勇 .

中国专利 :CN113990751B ,2025-07-18

[2]

浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀窗口的方法 [P].

陈串 ;

李东 ;

吴智勇 .

中国专利 :CN113990751A ,2022-01-28

[3]

高台阶差通孔刻蚀的方法 [P].

郭海亮 ;

姚道州 ;

赵志 ;

任婷婷 ;

汪健 ;

王玉新 .

中国专利 :CN117995766A ,2024-05-07

[4]

一种通孔的刻蚀方法 [P].

刘志强 .

中国专利 :CN103199058B ,2013-07-10

[5]

通孔刻蚀方法 [P].

元琳 ;

高颖 ;

刘玉丽 .

中国专利 :CN100517604C ,2008-06-11

[6]

通孔刻蚀方法 [P].

程卫华 ;

叶彬 ;

曾红林 .

中国专利 :CN101207036A ,2008-06-25

[7]

沟槽的刻蚀方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN111403275B ,2020-07-10

[8]

沟槽的刻蚀方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103311092B ,2013-09-18

[9]

硅通孔的刻蚀方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103050434A ,2013-04-17

[10]

接触孔的刻蚀方法及接触孔刻蚀结构 [P].

刘俊 .

中国专利 :CN111653476A ,2020-09-11

← 1 2 3 4 5 →