沟槽的刻蚀方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010169846.3
申请日
2020-03-12
公开(公告)号
CN111403275B
公开(公告)日
2020-07-10
发明(设计)人
李昊
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21308
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
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沟槽的刻蚀方法 [P]. 
何其旸 .
中国专利 :CN103311092B ,2013-09-18
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深沟槽刻蚀方法 [P]. 
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沟槽刻蚀的方法 [P]. 
冯大贵 ;
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刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法 [P]. 
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形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法 [P]. 
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沟槽功率器件的栅极沟槽的刻蚀方法 [P]. 
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沟槽的刻蚀方法 [P]. 
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形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法 [P]. 
刘乒 ;
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深沟槽的刻蚀方法 [P]. 
郭海亮 ;
姚道州 ;
赵志 ;
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浅沟槽隔离结构的刻蚀方法 [P]. 
马一鸣 ;
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