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沟槽的刻蚀方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010169846.3
申请日
:
2020-03-12
公开(公告)号
:
CN111403275B
公开(公告)日
:
2020-07-10
发明(设计)人
:
李昊
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21308
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-07-10
公开
公开
2022-08-16
授权
授权
2020-08-04
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:20200312
共 50 条
[1]
沟槽的刻蚀方法
[P].
何其旸
论文数:
0
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0
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0
何其旸
.
中国专利
:CN103311092B
,2013-09-18
[2]
深沟槽刻蚀方法
[P].
陈跃华
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陈跃华
;
熊磊
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熊磊
.
中国专利
:CN113506734A
,2021-10-15
[3]
沟槽刻蚀的方法
[P].
冯大贵
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冯大贵
;
欧少敏
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0
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欧少敏
;
吴长明
论文数:
0
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0
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0
吴长明
.
中国专利
:CN112164647B
,2021-01-01
[4]
刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法
[P].
王友伟
论文数:
0
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0
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0
王友伟
.
中国专利
:CN105990127A
,2016-10-05
[5]
形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法
[P].
陈海华
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陈海华
;
韩秋华
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韩秋华
;
张海洋
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张海洋
;
刘乒
论文数:
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刘乒
.
中国专利
:CN101459107A
,2009-06-17
[6]
沟槽功率器件的栅极沟槽的刻蚀方法
[P].
吕宇强
论文数:
0
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吕宇强
.
中国专利
:CN102184862A
,2011-09-14
[7]
沟槽的刻蚀方法
[P].
周鸣
论文数:
0
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0
周鸣
;
尹晓明
论文数:
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0
尹晓明
.
中国专利
:CN101593691A
,2009-12-02
[8]
形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法
[P].
刘乒
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0
刘乒
;
陈海华
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0
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陈海华
;
张世谋
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0
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0
张世谋
.
中国专利
:CN101459108A
,2009-06-17
[9]
深沟槽的刻蚀方法
[P].
郭海亮
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郭海亮
;
姚道州
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
姚道州
;
赵志
论文数:
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵志
;
任婷婷
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
任婷婷
;
汪健
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
汪健
;
王玉新
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
.
中国专利
:CN118248540A
,2024-06-25
[10]
浅沟槽隔离结构的刻蚀方法
[P].
马一鸣
论文数:
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0
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
马一鸣
;
杨光
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
杨光
;
王京
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
王京
.
中国专利
:CN117810074A
,2024-04-02
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