刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510055643.0

申请日：

2015-02-03

公开(公告)号：

CN105990127A

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

王友伟

申请人：

申请人地址：

江苏省苏州市张家港市塘市开发区南园路

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

李杰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/308 申请公布日:20161005
2016-10-05	公开	公开
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686678983 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2015100556430 申请日:20150203

共 50 条

[1]

半导体器件的沟槽刻蚀方法 [P].

袁乐凡 ;

林强 ;

沈宇栎 ;

程含月 ;

马瑞 ;

丁超 .

中国专利 :CN119812107A ,2025-04-11

[2]

半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

仇松柏 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103021912A ,2013-04-03

[3]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

梁梦诗 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN112185814B ,2021-01-05

[4]

半导体刻蚀方法 [P].

李刘晶 ;

王俊 ;

赵武 ;

李顺峰 ;

闵大勇 .

中国专利 :CN119340780A ,2025-01-21

[5]

沟槽刻蚀方法及半导体器件 [P].

祁泽栋 ;

张腾 ;

邵瑞 .

中国专利 :CN119480620A ,2025-02-18

[6]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN102361007A ,2012-02-22

[7]

沟槽刻蚀方法及半导体器件 [P].

曹佛良 ;

秦红军 .

中国专利 :CN119132929A ,2024-12-13

[8]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法 [P].

熊磊 ;

奚斐 .

中国专利 :CN102437026B ,2012-05-02

[9]

半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法 [P].

王显亮 ;

孙文彬 .

中国专利 :CN118629920A ,2024-09-10

[10]

半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

苏兴才 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103035470A ,2013-04-10

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