半导体器件的沟槽刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411812474.6

申请日：

2024-12-10

公开(公告)号：

CN119812107A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

袁乐凡林强沈宇栎程含月马瑞丁超

申请人：

无锡芯卓湖光半导体有限公司

申请人地址：

214161 江苏省无锡市滨湖区胡埭工业园刘闾路29号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/311 C09K13/00

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

马志杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20241210

共 50 条

[1]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN102361007A ,2012-02-22

[2]

沟槽刻蚀方法及半导体器件 [P].

曹佛良 ;

秦红军 .

中国专利 :CN119132929A ,2024-12-13

[3]

沟槽刻蚀方法及半导体器件 [P].

祁泽栋 ;

张腾 ;

邵瑞 .

中国专利 :CN119480620A ,2025-02-18

[4]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法 [P].

熊磊 ;

奚斐 .

中国专利 :CN102437026B ,2012-05-02

[5]

刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法 [P].

王友伟 .

中国专利 :CN105990127A ,2016-10-05

[6]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

黄冲 ;

李志国 .

中国专利 :CN106876252A ,2017-06-20

[7]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103094091B ,2013-05-08

[8]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

符雅丽 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103377910A ,2013-10-30

[9]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[10]

半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件 [P].

王秀金 ;

习艳军 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN117976607A ,2024-05-03

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