半导体器件的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710079125.1

申请日：

2017-02-14

公开(公告)号：

CN106876252A

公开(公告)日：

2017-06-20

发明(设计)人：

黄冲李志国

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	授权	授权
2017-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101734195994 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2017100791251 申请日:20170214
2017-06-20	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103094091B ,2013-05-08

[2]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

符雅丽 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103377910A ,2013-10-30

[3]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[4]

一种半导体器件刻蚀方法 [P].

肖培 .

中国专利 :CN104733306A ,2015-06-24

[5]

半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

胡伟玲 ;

林玲玲 .

中国专利 :CN118213272A ,2024-06-18

[6]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN103000589A ,2013-03-27

[7]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

本间博 ;

小田岛均 ;

宫崎忠一 ;

和田隆 ;

大录范行 ;

三田彻 .

中国专利 :CN100334706C ,2005-06-22

[9]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

李勇 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

欧少敏 ;

王玉新 .

中国专利 :CN112635318A ,2021-04-09

[10]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

张海洋 ;

孙武 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101944503A ,2011-01-12

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