一种半导体器件刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510189307.5

申请日：

2015-04-17

公开(公告)号：

CN104733306A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

肖培

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-26	授权	授权
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617858648 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2015101893075 申请日:20150417
2015-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

黄冲 ;

李志国 .

中国专利 :CN106876252A ,2017-06-20

[2]

一种刻蚀方法及半导体器件 [P].

刘京 ;

司卫民 ;

张坤 .

中国专利 :CN119890039A ,2025-04-25

[3]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[4]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103094091B ,2013-05-08

[5]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

符雅丽 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103377910A ,2013-10-30

[6]

半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

胡伟玲 ;

林玲玲 .

中国专利 :CN118213272A ,2024-06-18

[7]

一种半导体器件的刻蚀方法 [P].

田城 ;

高铭达 ;

罗永坚 ;

郑砺寒 .

中国专利 :CN120749017A ,2025-10-03

[8]

刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN111681957A ,2020-09-18

[9]

一种半导体器件刻蚀方法 [P].

吴志刚 .

中国专利 :CN120637229A ,2025-09-12

[10]

一种刻蚀方法及半导体器件 [P].

韩朋刚 ;

许鹏凯 .

中国专利 :CN109524300A ,2019-03-26

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