刻蚀方法及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010723935.8

申请日：

2020-07-24

公开(公告)号：

CN111681957A

公开(公告)日：

2020-09-18

发明(设计)人：

陈宏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L213213

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	公开	公开
2022-03-11	授权	授权
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3213 申请日:20200724

共 50 条

[1]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[2]

半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

胡伟玲 ;

林玲玲 .

中国专利 :CN118213272A ,2024-06-18

[3]

刻蚀方法和半导体器件的制造方法 [P].

刘卫 .

中国专利 :CN109461697A ,2019-03-12

[4]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

黄冲 ;

李志国 .

中国专利 :CN106876252A ,2017-06-20

[5]

削弱侧壁再沉积的方法、刻蚀方法及半导体器件制造方法 [P].

熊磊 ;

奚裴 .

中国专利 :CN102693906B ,2012-09-26

[6]

一种半导体器件刻蚀方法 [P].

肖培 .

中国专利 :CN104733306A ,2015-06-24

[7]

凹槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法 [P].

邓咏桢 ;

陈莹莹 .

中国专利 :CN102683180A ,2012-09-19

[8]

沟槽刻蚀方法及半导体器件 [P].

祁泽栋 ;

张腾 ;

邵瑞 .

中国专利 :CN119480620A ,2025-02-18

[9]

内侧墙的刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

孙新 ;

史小平 .

中国专利 :CN120709141A ,2025-09-26

[10]

刻蚀方法以及半导体器件的制造方法 [P].

韩朋刚 ;

许鹏凯 .

中国专利 :CN110896029B ,2020-03-20

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