沟槽刻蚀方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310982109.9

申请日：

2023-08-04

公开(公告)号：

CN119480620A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

祁泽栋张腾邵瑞

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/033 H10B12/00

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651

代理人：

帅进军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/027申请日:20230804
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽刻蚀方法及半导体器件 [P].

曹佛良 ;

秦红军 .

中国专利 :CN119132929A ,2024-12-13

[2]

半导体器件的沟槽刻蚀方法 [P].

袁乐凡 ;

林强 ;

沈宇栎 ;

程含月 ;

马瑞 ;

丁超 .

中国专利 :CN119812107A ,2025-04-11

[3]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN102361007A ,2012-02-22

[4]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法 [P].

熊磊 ;

奚斐 .

中国专利 :CN102437026B ,2012-05-02

[5]

刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法 [P].

王友伟 .

中国专利 :CN105990127A ,2016-10-05

[6]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[7]

半导体器件刻蚀方法以及半导体器件 [P].

于世瑞 .

中国专利 :CN102231362A ,2011-11-02

[8]

刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN111681957A ,2020-09-18

[9]

内侧墙的刻蚀方法、半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

孙新 ;

史小平 .

中国专利 :CN120709141A ,2025-09-26

[10]

半导体器件的刻蚀方法及刻蚀装置 [P].

刘隆冬 .

中国专利 :CN112259550A ,2021-01-22

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