半导体器件刻蚀方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110176495.X

申请日：

2011-06-28

公开(公告)号：

CN102231362A

公开(公告)日：

2011-11-02

发明(设计)人：

于世瑞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	公开	公开
2017-12-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20111102
2014-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582380763 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:201110176495X 申请日:20110628
2014-05-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701063092 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:201110176495X 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140425

共 50 条

[1]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[2]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103094091B ,2013-05-08

[3]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

符雅丽 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103377910A ,2013-10-30

[4]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

李勇 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

欧少敏 ;

王玉新 .

中国专利 :CN112635318A ,2021-04-09

[5]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

黄冲 ;

李志国 .

中国专利 :CN106876252A ,2017-06-20

[6]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

张海洋 ;

孙武 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101944503A ,2011-01-12

[7]

半导体器件以及半导体器件制造方法 [P].

李彰洙 ;

李钟鸣 ;

金益秀 ;

任智芸 .

中国专利 :CN112614847A ,2021-04-06

[8]

半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

中村猛利 ;

齐藤博 .

中国专利 :CN1835196B ,2006-09-20

[9]

半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN102683270A ,2012-09-19

[10]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN102361007A ,2012-02-22

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