半导体结构的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011187636.3

申请日：

2020-10-30

公开(公告)号：

CN112185814B

公开(公告)日：

2021-01-05

发明(设计)人：

梁梦诗蒋燚

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-05	公开	公开
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20201030
2022-08-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

仇松柏 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103021912A ,2013-04-03

[2]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

张思涵 ;

汝伟亮 ;

邹海华 ;

刘纵曙 .

中国专利 :CN118919408A ,2024-11-08

[3]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

聂钰节 ;

唐在峰 ;

吴智勇 ;

任昱 ;

吕煜坤 .

中国专利 :CN105957792A ,2016-09-21

[4]

半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

胡伟玲 ;

林玲玲 .

中国专利 :CN118213272A ,2024-06-18

[5]

刻蚀方法及半导体结构 [P].

杨谦 .

中国专利 :CN115346869A ,2022-11-15

[6]

刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法 [P].

王友伟 .

中国专利 :CN105990127A ,2016-10-05

[7]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

侯潇 ;

何欢 ;

王秉国 ;

高勇强 ;

李寒骁 .

中国专利 :CN112164649A ,2021-01-01

[8]

半导体结构的刻蚀方法和半导体结构 [P].

王文莉 ;

姚兴兵 ;

罗永坚 ;

姚琦 ;

陈超 .

中国专利 :CN120834006A ,2025-10-24

[9]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103021783B ,2013-04-03

[10]

光刻方法、刻蚀方法及半导体结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109062011A ,2018-12-21

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