半导体结构的刻蚀方法和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510954567.0

申请日：

2025-07-10

公开(公告)号：

CN120834006A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

王文莉姚兴兵罗永坚姚琦陈超

申请人：

北京集成电路装备创新中心有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣昌东街甲5号3号楼10层1001-1

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01L21/768 H01L23/522

代理机构：

北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726

代理人：

王献茹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20250710

共 50 条

[1]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103021783B ,2013-04-03

[2]

半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

仇松柏 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103021912A ,2013-04-03

[3]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

张思涵 ;

汝伟亮 ;

邹海华 ;

刘纵曙 .

中国专利 :CN118919408A ,2024-11-08

[4]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

聂钰节 ;

唐在峰 ;

吴智勇 ;

任昱 ;

吕煜坤 .

中国专利 :CN105957792A ,2016-09-21

[5]

半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

胡伟玲 ;

林玲玲 .

中国专利 :CN118213272A ,2024-06-18

[6]

半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备 [P].

秦凡凯 .

中国专利 :CN120914101A ,2025-11-07

[7]

一种半导体结构的刻蚀方法、半导体结构及半导体器件 [P].

付宇鑫 ;

王文泰 ;

姜峰 .

中国专利 :CN120341113A ,2025-07-18

[8]

半导体结构的刻蚀方法、半导体器件及电子设备 [P].

郭哲 .

中国专利 :CN119864321A ,2025-04-22

[9]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

梁梦诗 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN112185814B ,2021-01-05

[10]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

侯潇 ;

何欢 ;

王秉国 ;

高勇强 ;

李寒骁 .

中国专利 :CN112164649A ,2021-01-01

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