半导体结构的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210567794.0

申请日：

2012-12-24

公开(公告)号：

CN103021783B

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

王兆祥梁洁倪图强

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448953207 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2012105677940 申请日:20121224
2019-04-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2015-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

仇松柏 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103021912A ,2013-04-03

[2]

半导体结构的刻蚀方法和半导体结构 [P].

王文莉 ;

姚兴兵 ;

罗永坚 ;

姚琦 ;

陈超 .

中国专利 :CN120834006A ,2025-10-24

[3]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

聂钰节 ;

唐在峰 ;

吴智勇 ;

任昱 ;

吕煜坤 .

中国专利 :CN105957792A ,2016-09-21

[4]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

张思涵 ;

汝伟亮 ;

邹海华 ;

刘纵曙 .

中国专利 :CN118919408A ,2024-11-08

[5]

半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备 [P].

秦凡凯 .

中国专利 :CN120914101A ,2025-11-07

[6]

半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

苏兴才 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103035470A ,2013-04-10

[7]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

梁梦诗 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN112185814B ,2021-01-05

[8]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

侯潇 ;

何欢 ;

王秉国 ;

高勇强 ;

李寒骁 .

中国专利 :CN112164649A ,2021-01-01

[9]

半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

胡伟玲 ;

林玲玲 .

中国专利 :CN118213272A ,2024-06-18

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

三重野文健 ;

周梅生 .

中国专利 :CN103579074A ,2014-02-12

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