半导体结构的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610510324.9

申请日：

2016-06-30

公开(公告)号：

CN105957792A

公开(公告)日：

2016-09-21

发明(设计)人：

聂钰节唐在峰吴智勇任昱吕煜坤

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2128 H01L213213

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J 37/32 申请公布日:20160921
2016-09-21	公开	公开
2016-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101683320672 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2016105103249 申请日:20160630

共 50 条

[1]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103021783B ,2013-04-03

[2]

半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

仇松柏 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103021912A ,2013-04-03

[3]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

梁梦诗 ;

蒋燚 .

中国专利 :CN112185814B ,2021-01-05

[4]

半导体结构的刻蚀方法和半导体结构 [P].

王文莉 ;

姚兴兵 ;

罗永坚 ;

姚琦 ;

陈超 .

中国专利 :CN120834006A ,2025-10-24

[5]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

侯潇 ;

何欢 ;

王秉国 ;

高勇强 ;

李寒骁 .

中国专利 :CN112164649A ,2021-01-01

[6]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

张思涵 ;

汝伟亮 ;

邹海华 ;

刘纵曙 .

中国专利 :CN118919408A ,2024-11-08

[7]

半导体刻蚀方法 [P].

刘珂 ;

王京 ;

何艳 .

中国专利 :CN112530780B ,2024-05-17

[8]

半导体刻蚀方法 [P].

刘珂 ;

王京 ;

何艳 .

中国专利 :CN112530780A ,2021-03-19

[9]

存储串的制备方法及半导体结构刻蚀方法 [P].

王鹏 ;

何佳 ;

刘藩东 ;

方振 ;

王猛 ;

张若芳 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN108565264A ,2018-09-21

[10]

半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备 [P].

秦凡凯 .

中国专利 :CN120914101A ,2025-11-07

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