一种半导体结构的刻蚀方法、半导体结构及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410065594.8

申请日：

2024-01-16

公开(公告)号：

CN120341113A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

付宇鑫王文泰姜峰

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01L21/3213 H10D30/62 H10D30/01

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

苗芬芬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20240116
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

凌龙 .

中国专利 :CN120545177A ,2025-08-26

[2]

半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

胡伟玲 ;

林玲玲 .

中国专利 :CN118213272A ,2024-06-18

[3]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[4]

半导体结构的刻蚀方法和半导体结构 [P].

王文莉 ;

姚兴兵 ;

罗永坚 ;

姚琦 ;

陈超 .

中国专利 :CN120834006A ,2025-10-24

[5]

一种半导体结构、半导体器件及半导体工艺方法 [P].

王宇 ;

习艳军 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN118553609A ,2024-08-27

[6]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[7]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

卢浩然 ;

刘煜 ;

葛延栋 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14

[8]

半导体结构、半导体结构的制备方法及半导体器件 [P].

谷强 ;

郭宏瑞 ;

韩为鹏 ;

黄其伟 .

中国专利 :CN115050750B ,2025-02-25

[9]

半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P].

吴保润 ;

刘忠明 ;

杨孝东 .

中国专利 :CN118159023A ,2024-06-07

[10]

半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P].

刘洋浩 ;

徐朋辉 ;

尹国旭 ;

刘涛 ;

薛鹍 ;

王宁 .

中国专利 :CN121194461A ,2025-12-23

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