半导体刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411874116.8

申请日：

2024-12-19

公开(公告)号：

CN119340780A

公开(公告)日：

2025-01-21

发明(设计)人：

李刘晶王俊赵武李顺峰闵大勇

申请人：

苏州长光华芯光电技术股份有限公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市高新区漓江路56号

IPC主分类号：

H01S5/02

IPC分类号：

代理机构：

北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317

代理人：

王祖悦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/02申请日:20241219
2025-01-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体衬底刻蚀方法 [P].

谢鹏程 ;

张剑桥 ;

吴伟 ;

李军健 .

中国专利 :CN119208469B ,2025-10-10

[2]

一种半导体衬底刻蚀方法 [P].

谢鹏程 ;

张剑桥 ;

吴伟 ;

李军健 .

中国专利 :CN119208469A ,2024-12-27

[3]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

李勇 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

欧少敏 ;

王玉新 .

中国专利 :CN112635318A ,2021-04-09

[4]

半导体器件的刻蚀方法 [P].

黄冲 ;

李志国 .

中国专利 :CN106876252A ,2017-06-20

[5]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

张思涵 ;

汝伟亮 ;

邹海华 ;

刘纵曙 .

中国专利 :CN118919408A ,2024-11-08

[6]

半导体结构的刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103021783B ,2013-04-03

[7]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[8]

半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

仇松柏 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103021912A ,2013-04-03

[9]

半导体刻蚀设备和刻蚀方法 [P].

林源为 .

中国专利 :CN112951693A ,2021-06-11

[10]

刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法 [P].

王友伟 .

中国专利 :CN105990127A ,2016-10-05

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