沟槽的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210064070.4

申请日：

2012-03-12

公开(公告)号：

CN103311092B

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

何其旸

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	公开	公开
2015-08-05	授权	授权
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531538792 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012100640704 申请日:20120312

共 50 条

[1]

沟槽的刻蚀方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN111403275B ,2020-07-10

[2]

刻蚀半导体沟槽的刻蚀方法 [P].

王友伟 .

中国专利 :CN105990127A ,2016-10-05

[3]

深沟槽刻蚀方法 [P].

陈跃华 ;

熊磊 .

中国专利 :CN113506734A ,2021-10-15

[4]

沟槽功率器件的栅极沟槽的刻蚀方法 [P].

吕宇强 .

中国专利 :CN102184862A ,2011-09-14

[5]

沟槽的刻蚀方法 [P].

周鸣 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN101593691A ,2009-12-02

[6]

沟槽刻蚀的方法 [P].

冯大贵 ;

欧少敏 ;

吴长明 .

中国专利 :CN112164647B ,2021-01-01

[7]

深沟槽的刻蚀方法 [P].

郭海亮 ;

姚道州 ;

赵志 ;

任婷婷 ;

汪健 ;

王玉新 .

中国专利 :CN118248540A ,2024-06-25

[8]

形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法 [P].

陈海华 ;

韩秋华 ;

张海洋 ;

刘乒 .

中国专利 :CN101459107A ,2009-06-17

[9]

通孔及金属线沟槽的刻蚀方法 [P].

赵林林 ;

符雅丽 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN102122634A ,2011-07-13

[10]

深沟槽刻蚀方法 [P].

周策 ;

谭理 ;

殷敏 ;

王玉新 ;

丁佳 .

中国专利 :CN119108275A ,2024-12-10

← 1 2 3 4 5 →