深沟槽刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411183533.8

申请日：

2024-08-27

公开(公告)号：

CN119108275A

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

周策谭理殷敏王玉新丁佳

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01J37/32

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

赵薇

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	公开	公开
2024-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20240827

共 50 条

[1]

深沟槽刻蚀方法 [P].

陈跃华 ;

熊磊 .

中国专利 :CN113506734A ,2021-10-15

[2]

深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法 [P].

宋泽凯 ;

郭海亮 ;

赵雁雁 ;

王玉新 ;

汪建 ;

姚智 .

中国专利 :CN118692885A ,2024-09-24

[3]

深沟槽刻蚀后的工作腔处理方法 [P].

宋泽凯 ;

郭海亮 ;

赵雁雁 ;

王玉新 ;

汪建 ;

姚智 .

中国专利 :CN118692885B ,2025-10-28

[4]

深沟槽的刻蚀方法 [P].

郭海亮 ;

姚道州 ;

赵志 ;

任婷婷 ;

汪健 ;

王玉新 .

中国专利 :CN118248540A ,2024-06-25

[5]

深沟槽刻蚀方法 [P].

姚嫦娲 ;

杨华 ;

刘鹏 ;

陈东强 .

中国专利 :CN102479676A ,2012-05-30

[6]

CIS深沟槽外延层制作方法 [P].

吴天承 ;

李佳龙 ;

黄鹏 .

中国专利 :CN113113436A ,2021-07-13

[7]

带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法 [P].

丁佳 ;

冯大贵 ;

吴长明 ;

欧少敏 ;

崔艳雷 .

中国专利 :CN111524802B ,2020-08-11

[8]

一种深沟槽刻蚀方法 [P].

李明 ;

刁宇飞 ;

姚雪霞 .

中国专利 :CN111584357B ,2024-03-15

[9]

一种深沟槽刻蚀方法 [P].

李明 ;

刁宇飞 ;

姚雪霞 .

中国专利 :CN111584357A ,2020-08-25

[10]

一种深沟槽刻蚀方法 [P].

陈煜 ;

朱焱均 ;

王尧林 ;

燕强 .

中国专利 :CN119993834B ,2025-06-27

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