CIS深沟槽外延层制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110291547.1

申请日：

2021-03-18

公开(公告)号：

CN113113436A

公开(公告)日：

2021-07-13

发明(设计)人：

吴天承李佳龙黄鹏

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-13	公开	公开
2022-12-09	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 27/146 申请公布日:20210713
2021-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20210318

共 50 条

[1]

CIS器件的隔离沟槽制作方法 [P].

沈宇栎 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

王玉新 ;

余鹏 ;

杜闫 .

中国专利 :CN113113435A ,2021-07-13

[2]

深沟槽刻蚀方法 [P].

周策 ;

谭理 ;

殷敏 ;

王玉新 ;

丁佳 .

中国专利 :CN119108275A ,2024-12-10

[3]

CIS器件的隔离结构制作方法 [P].

沈宇栎 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

王玉新 ;

余鹏 ;

杜闫 .

中国专利 :CN113270434A ,2021-08-17

[4]

一种双深度沟槽的制作方法 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN119947282B ,2025-06-17

[5]

一种双深度沟槽的制作方法 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN119947282A ,2025-05-06

[6]

半导体器件的制作方法 [P].

李刚 .

中国专利 :CN113394160A ,2021-09-14

[7]

CIS器件像素区的制作方法 [P].

周旭 ;

郭振强 ;

滕赛楠 ;

吴天承 .

中国专利 :CN115513236A ,2022-12-23

[8]

CIS器件的制作方法 [P].

于明道 ;

王晨旭 ;

郑晓辉 ;

张栋 ;

范晓 ;

王函 .

中国专利 :CN118248701A ,2024-06-25

[9]

深沟槽隔离结构及其制作方法 [P].

雷敏 ;

廖黎明 ;

范永 ;

仇峰 .

中国专利 :CN118610156A ,2024-09-06

[10]

超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法 [P].

支立明 ;

徐昊文 ;

张国华 .

中国专利 :CN118073216A ,2024-05-24

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