超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410137475.9
申请日
2024-01-31
公开(公告)号
CN118073216A
公开(公告)日
2024-05-24
发明(设计)人
支立明 徐昊文 张国华
申请人
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
赵薇
法律状态
实质审查的生效
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
沟槽型超级结外延填充方法 [P]. 
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徐丹 ;
王飞 .
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深沟槽结构、超级结器件及其制造方法 [P]. 
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[3]
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杜发瑞 ;
冯海浪 .
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[4]
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陈思彤 .
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[6]
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李佳龙 ;
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[7]
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超级结的沟槽填充方法 [P]. 
伍洲 .
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[10]
改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法 [P]. 
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