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超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410137475.9
申请日
:
2024-01-31
公开(公告)号
:
CN118073216A
公开(公告)日
:
2024-05-24
发明(设计)人
:
支立明
徐昊文
张国华
申请人
:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21/66
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
赵薇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-06-11
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20240131
2024-05-24
公开
公开
共 50 条
[1]
沟槽型超级结外延填充方法
[P].
杨震
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨震
;
徐丹
论文数:
0
引用数:
0
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0
徐丹
;
王飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王飞
.
中国专利
:CN105529355A
,2016-04-27
[2]
深沟槽结构、超级结器件及其制造方法
[P].
杜发瑞
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
杜发瑞
;
梁海明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
梁海明
.
中国专利
:CN120813024A
,2025-10-17
[3]
深沟槽型超级结器件及其制作方法
[P].
杜发瑞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杜发瑞
;
冯海浪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯海浪
.
中国专利
:CN111370305A
,2020-07-03
[4]
超级结器件的制造方法
[P].
徐进
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
徐进
;
黄浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
黄浩
;
张蕾
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张蕾
;
陈思彤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈思彤
.
中国专利
:CN119894029A
,2025-04-25
[5]
深沟槽型超级结器件的制造方法
[P].
李昊
论文数:
0
引用数:
0
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0
李昊
.
中国专利
:CN105702710A
,2016-06-22
[6]
CIS深沟槽外延层制作方法
[P].
吴天承
论文数:
0
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0
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0
吴天承
;
李佳龙
论文数:
0
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0
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0
李佳龙
;
黄鹏
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄鹏
.
中国专利
:CN113113436A
,2021-07-13
[7]
改善深沟槽超级结器件IDSS离散的方法
[P].
霍文
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
霍文
;
曹志伟
论文数:
0
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
曹志伟
;
王琦
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王琦
;
黄萌辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
黄萌辉
.
中国专利
:CN120302698A
,2025-07-11
[8]
超级结的沟槽填充方法
[P].
伍洲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
伍洲
.
中国专利
:CN107275389B
,2017-10-20
[9]
超级结的沟槽填充方法
[P].
伍洲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
伍洲
.
中国专利
:CN107275205A
,2017-10-20
[10]
改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法
[P].
程晓华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程晓华
.
中国专利
:CN102403257B
,2012-04-04
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