一种双深度沟槽的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510429961.2

申请日：

2025-04-08

公开(公告)号：

CN119947282A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

陈兴

申请人：

合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H10F39/12

IPC分类号：

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

钱宇婧

法律状态：

公开

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-06-17	授权	授权
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/12申请日:20250408

共 50 条

[1]

一种双深度沟槽的制作方法 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN119947282B ,2025-06-17

[2]

CIS深沟槽外延层制作方法 [P].

吴天承 ;

李佳龙 ;

黄鹏 .

中国专利 :CN113113436A ,2021-07-13

[3]

CIS器件的隔离沟槽制作方法 [P].

沈宇栎 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

王玉新 ;

余鹏 ;

杜闫 .

中国专利 :CN113113435A ,2021-07-13

[4]

沟槽的制作方法 [P].

肖培 ;

奚裴 .

中国专利 :CN102751186A ,2012-10-24

[5]

沟槽制作方法及系统 [P].

陈荣堂 ;

金达 ;

徐宽 ;

顾菁 .

中国专利 :CN101685773A ,2010-03-31

[6]

一种SiC沟槽终端结构制作方法 [P].

钟炜 ;

马鸿铭 ;

王哲 .

中国专利 :CN119653807A ,2025-03-18

[7]

一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构 [P].

王志成 ;

龚芷玉 ;

刘启军 ;

罗烨辉 ;

周才能 ;

宋瓘 ;

曹申 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN114121639A ,2022-03-01

[8]

一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构 [P].

王志成 ;

龚芷玉 ;

刘启军 ;

罗烨辉 ;

周才能 ;

宋瓘 ;

曹申 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN114121639B ,2025-04-18

[9]

CIS器件的制作方法 [P].

于明道 ;

王晨旭 ;

郑晓辉 ;

张栋 ;

范晓 ;

王函 .

中国专利 :CN118248701A ,2024-06-25

[10]

沟槽制作方法 [P].

虞肖鹏 ;

张复雄 ;

季华 .

中国专利 :CN101206994A ,2008-06-25

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