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一种SiC沟槽终端结构制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411952722.7
申请日：
2024-12-27
公开(公告)号：
CN119653807A
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
钟炜 马鸿铭 王哲
申请人：
北京昕感科技有限责任公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区同济中路甲7号18幢5层1单元509
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D64/01 H10D64/27 H10D62/10 H10D62/83
代理机构：
北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074
代理人：
赵星
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241227
2025-08-22 著录事项变更 著录事项变更IPC(主分类):H10D 30/01变更事项:申请人变更前:北京昕感科技有限责任公司变更后:北京昕感科技（集团）有限责任公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区同济中路甲7号18幢5层1单元509变更后:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区天华北街11号院2号楼4层403-14室
共 50 条
[1]
一种SiC器件终端结构的制作方法 [P]. 
李玲 ;
杨霏 ;
田亮 .
中国专利 :CN106298468A ,2017-01-04
[2]
一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构 [P]. 
王志成 ;
龚芷玉 ;
刘启军 ;
罗烨辉 ;
周才能 ;
宋瓘 ;
曹申 ;
赵艳黎 ;
郑昌伟 ;
李诚瞻 ;
罗海辉 .
中国专利 :CN114121639A ,2022-03-01
[3]
一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构 [P]. 
王志成 ;
龚芷玉 ;
刘启军 ;
罗烨辉 ;
周才能 ;
宋瓘 ;
曹申 ;
赵艳黎 ;
郑昌伟 ;
李诚瞻 ;
罗海辉 .
中国专利 :CN114121639B ,2025-04-18
[4]
沟槽隔离结构及其制作方法 [P]. 
永福 .
中国专利 :CN102184885A ,2011-09-14
[5]
深沟槽MOSFET终端结构及其制作方法 [P]. 
罗志云 ;
王飞 ;
潘梦瑜 .
中国专利 :CN115020467A ,2022-09-06
[6]
一种SiC器件的结终端结构制作方法 [P]. 
蔺增金 ;
孙茂友 ;
周丽哲 ;
朱继红 .
中国专利 :CN108831920A ,2018-11-16
[7]
一种双深度沟槽的制作方法 [P]. 
陈兴 .
中国专利 :CN119947282B ,2025-06-17
[8]
一种双深度沟槽的制作方法 [P]. 
陈兴 .
中国专利 :CN119947282A ,2025-05-06
[9]
沟槽制作方法及半导体隔离结构制作方法 [P]. 
许春龙 ;
李庆民 ;
杨宗凯 .
中国专利 :CN111211090B ,2020-05-29
[10]
一种窄沟槽制作方法 [P]. 
雷通 ;
桑宁波 .
中国专利 :CN103972147A ,2014-08-06
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