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沟槽制作方法及半导体隔离结构制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911268173.0
申请日：
2019-12-11
公开(公告)号：
CN111211090B
公开(公告)日：
2020-05-29
发明(设计)人：
许春龙
李庆民
杨宗凯
申请人：
申请人地址：
230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
曹廷廷
法律状态：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-12-25 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/762 变更事项:专利权人 变更前:合肥晶合集成电路有限公司 变更后:合肥晶合集成电路股份有限公司 变更事项:地址 变更前:230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号 变更后:230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号 |
| 2020-11-13 | 授权 | 授权 |
| 2020-05-29 | 公开 | 公开 |
| 2020-06-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20191211 |