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半导体结构制作方法及半导体结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111447165.X
申请日：
2021-11-30
公开(公告)号：
CN116206969B
公开(公告)日：
2025-09-26
发明(设计)人：
王晓光 李辉辉 张强 汪珊 吴敏敏
申请人：
长鑫存储技术有限公司 北京超弦存储器研究院
申请人地址：
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21/308
IPC分类号：
H10B12/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-26 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
王晓光 ;
李辉辉 ;
张强 ;
汪珊 ;
吴敏敏 .
中国专利 :CN116206970B ,2025-07-04
[2]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
夏军 ;
刘忠明 ;
白世杰 .
中国专利 :CN112864157B ,2021-05-28
[3]
半导体结构及半导体结构的制作方法 [P]. 
王晓光 ;
李辉辉 ;
张强 ;
吴敏敏 ;
汪珊 .
中国专利 :CN116209279B ,2025-09-26
[4]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
刘忠明 ;
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN114446887A ,2022-05-06
[5]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
占康澍 ;
夏军 ;
宛强 ;
刘涛 ;
李森 .
中国专利 :CN115132728A ,2022-09-30
[6]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
卢经文 ;
洪海涵 .
中国专利 :CN113078114A ,2021-07-06
[7]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
于业笑 ;
刘忠明 .
中国专利 :CN113097147B ,2021-07-09
[8]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
刘子玄 .
中国专利 :CN113725147A ,2021-11-30
[9]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
占康澍 ;
夏军 ;
宛强 ;
刘涛 ;
李森 .
中国专利 :CN115132728B ,2024-06-07
[10]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
刘忠明 ;
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN114446887B ,2024-10-18
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