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半导体结构及半导体结构制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110328331.8
申请日：
2021-03-26
公开(公告)号：
CN115132728B
公开(公告)日：
2024-06-07
发明(设计)人：
占康澍
夏军
宛强
刘涛
李森
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-06-07 | 授权 | 授权 |