半导体结构制作方法及半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110319528.5
申请日
2021-03-25
公开(公告)号
CN113078114A
公开(公告)日
2021-07-06
发明(设计)人
卢经文 洪海涵
申请人
申请人地址
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L218242
IPC分类号
H01L27108
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
朱颖;黄健
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
刘忠明 ;
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN114446887A ,2022-05-06
[2]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
刘忠明 ;
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN114446887B ,2024-10-18
[3]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
占康澍 ;
夏军 ;
宛强 ;
刘涛 ;
李森 .
中国专利 :CN115132728A ,2022-09-30
[4]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
王晓光 ;
李辉辉 ;
张强 ;
汪珊 ;
吴敏敏 .
中国专利 :CN116206970B ,2025-07-04
[5]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
夏军 ;
刘忠明 ;
白世杰 .
中国专利 :CN112864157B ,2021-05-28
[6]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
王晓光 ;
李辉辉 ;
张强 ;
汪珊 ;
吴敏敏 .
中国专利 :CN116206969B ,2025-09-26
[7]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
于业笑 ;
刘忠明 .
中国专利 :CN113097147B ,2021-07-09
[8]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
刘子玄 .
中国专利 :CN113725147A ,2021-11-30
[9]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
占康澍 ;
夏军 ;
宛强 ;
刘涛 ;
李森 .
中国专利 :CN115132728B ,2024-06-07
[10]
半导体结构的制作方法及半导体结构 [P]. 
杨蒙蒙 ;
白杰 .
中国专利 :CN113517231A ,2021-10-19