沟槽隔离结构的制作方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410542502.7

申请日：

2014-10-14

公开(公告)号：

CN105514020A

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

林率兵黄峰王雪梅严青松茹捷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴贵明;张永明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-20	公开	公开
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660916927 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014105425027 申请日:20141014
2019-09-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20160420

共 50 条

[1]

沟槽隔离结构的制作方法、半导体器件 [P].

陈笋弘 ;

李建财 .

中国专利 :CN111430294B ,2020-07-17

[2]

浅沟槽隔离结构的制作方法以及半导体器件 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103456675A ,2013-12-18

[3]

一种半导体器件浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104282612A ,2015-01-14

[4]

隔离结构的制作方法及半导体器件 [P].

李敏 .

中国专利 :CN105355586A ,2016-02-24

[5]

浅沟槽结构的清洗方法、隔离结构的制作方法及半导体器件 [P].

黄豪俊 .

中国专利 :CN105762059A ,2016-07-13

[6]

沟槽制作方法及半导体隔离结构制作方法 [P].

许春龙 ;

李庆民 ;

杨宗凯 .

中国专利 :CN111211090B ,2020-05-29

[7]

沟槽隔离结构的制作方法及半导体结构 [P].

彭爱东 ;

朱克宝 ;

李业超 ;

黄仁德 ;

赵桂波 .

中国专利 :CN120581501A ,2025-09-02

[8]

沟槽隔离结构及半导体器件 [P].

林仕杰 ;

江文湧 .

中国专利 :CN208738212U ,2019-04-12

[9]

半导体器件隔离结构及半导体器件的制作方法 [P].

张峻豪 ;

杜璇 .

中国专利 :CN101359615A ,2009-02-04

[10]

浅沟槽隔离结构阵列、半导体器件结构及制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107946232A ,2018-04-20

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