沟槽隔离结构的制作方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010431422.X

申请日：

2020-05-20

公开(公告)号：

CN111430294B

公开(公告)日：

2020-07-17

发明(设计)人：

陈笋弘李建财

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-29	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/762 变更事项:申请人变更前:合肥晶合集成电路有限公司变更后:合肥晶合集成电路股份有限公司变更事项:地址变更前:230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号变更后:230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
2020-07-17	公开	公开
2020-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20200520
2023-02-10	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽隔离结构的制作方法及半导体器件 [P].

林率兵 ;

黄峰 ;

王雪梅 ;

严青松 ;

茹捷 .

中国专利 :CN105514020A ,2016-04-20

[2]

浅沟槽隔离结构的制作方法以及半导体器件 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103456675A ,2013-12-18

[3]

一种半导体器件浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104282612A ,2015-01-14

[4]

浅沟槽隔离结构及其形成方法、半导体器件的制作方法 [P].

彭利 ;

李泓博 .

中国专利 :CN110739264B ,2020-01-31

[5]

半导体器件隔离结构及半导体器件的制作方法 [P].

张峻豪 ;

杜璇 .

中国专利 :CN101359615A ,2009-02-04

[6]

沟槽隔离结构的制作方法及半导体结构 [P].

彭爱东 ;

朱克宝 ;

李业超 ;

黄仁德 ;

赵桂波 .

中国专利 :CN120581501A ,2025-09-02

[7]

浅沟槽隔离结构、其制作方法及包括其的半导体器件 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104952783A ,2015-09-30

[8]

沟槽隔离结构及半导体器件 [P].

林仕杰 ;

江文湧 .

中国专利 :CN208738212U ,2019-04-12

[9]

半导体器件和浅沟槽的制作方法 [P].

何其旸 ;

张翼英 .

中国专利 :CN104217985A ,2014-12-17

[10]

沟槽隔离结构、具有该结构的半导体器件以及沟槽隔离方法 [P].

朴泰绪 ;

朴文汉 ;

朴暻媛 ;

李汉信 .

中国专利 :CN1194400C ,2001-05-02

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