CIS器件的隔离结构制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110270104.4

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN113270434A

公开(公告)日：

2021-08-17

发明(设计)人：

沈宇栎吴长明冯大贵王玉新余鹏杜闫

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	公开	公开
2021-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20210312

共 50 条

[1]

CIS器件的隔离沟槽制作方法 [P].

沈宇栎 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

王玉新 ;

余鹏 ;

杜闫 .

中国专利 :CN113113435A ,2021-07-13

[2]

CIS深沟槽外延层制作方法 [P].

吴天承 ;

李佳龙 ;

黄鹏 .

中国专利 :CN113113436A ,2021-07-13

[3]

CIS器件的制作方法 [P].

张栋 ;

范晓 .

中国专利 :CN117334706A ,2024-01-02

[4]

CIS器件的制作方法 [P].

于明道 ;

王晨旭 ;

郑晓辉 ;

张栋 ;

范晓 ;

王函 .

中国专利 :CN118248701A ,2024-06-25

[5]

CIS器件像素区的制作方法 [P].

周旭 ;

郭振强 ;

滕赛楠 ;

吴天承 .

中国专利 :CN115513236A ,2022-12-23

[6]

CIS器件的制作方法 [P].

焦鹏 ;

王晓日 ;

程刘锁 .

中国专利 :CN111697016B ,2020-09-22

[7]

NORD闪存器件结构及其制作方法 [P].

黄云龙 ;

熊伟 ;

张剑 ;

徐然 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN113224068A ,2021-08-06

[8]

LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111180339B ,2020-05-19

[9]

半导体器件的隔离结构及其制作方法 [P].

夏志平 ;

田浩洋 ;

陈洪雷 ;

孙样慧 ;

温建功 .

中国专利 :CN113257735A ,2021-08-13

[10]

隔离结构的制作方法 [P].

张步新 .

中国专利 :CN102044467A ,2011-05-04

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