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CIS器件的制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311229864.6
申请日
:
2023-09-21
公开(公告)号
:
CN117334706A
公开(公告)日
:
2024-01-02
发明(设计)人
:
张栋
范晓
申请人
:
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
:
H01L27/146
IPC分类号
:
H01L21/265
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
赵薇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-19
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20230921
2024-01-02
公开
公开
共 50 条
[1]
CIS器件的制作方法
[P].
于明道
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
于明道
;
王晨旭
论文数:
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王晨旭
;
郑晓辉
论文数:
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郑晓辉
;
张栋
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张栋
;
范晓
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
范晓
;
王函
论文数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王函
.
中国专利
:CN118248701A
,2024-06-25
[2]
CIS器件的制作方法
[P].
焦鹏
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焦鹏
;
王晓日
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王晓日
;
程刘锁
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0
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程刘锁
.
中国专利
:CN111697016B
,2020-09-22
[3]
CIS器件的隔离结构制作方法
[P].
沈宇栎
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沈宇栎
;
吴长明
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吴长明
;
冯大贵
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冯大贵
;
王玉新
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王玉新
;
余鹏
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余鹏
;
杜闫
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杜闫
.
中国专利
:CN113270434A
,2021-08-17
[4]
CIS器件像素区的制作方法
[P].
周旭
论文数:
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周旭
;
郭振强
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郭振强
;
滕赛楠
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滕赛楠
;
吴天承
论文数:
0
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0
吴天承
.
中国专利
:CN115513236A
,2022-12-23
[5]
CIS器件的隔离沟槽制作方法
[P].
沈宇栎
论文数:
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沈宇栎
;
吴长明
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吴长明
;
冯大贵
论文数:
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冯大贵
;
王玉新
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王玉新
;
余鹏
论文数:
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余鹏
;
杜闫
论文数:
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杜闫
.
中国专利
:CN113113435A
,2021-07-13
[6]
栅极侧壁层的制作方法及MOS器件的制作方法
[P].
王海莲
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王海莲
;
彭坤
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彭坤
;
赵晓燕
论文数:
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0
赵晓燕
.
中国专利
:CN104952723A
,2015-09-30
[7]
CIS的制作方法
[P].
李金鹏
论文数:
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
李金鹏
;
郑晓辉
论文数:
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郑晓辉
;
张栋
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张栋
;
范晓
论文数:
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
范晓
.
中国专利
:CN117832239A
,2024-04-05
[8]
CIS的制作方法
[P].
赵德鹏
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵德鹏
;
范晓
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
范晓
;
李睿
论文数:
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
李睿
.
中国专利
:CN117976684A
,2024-05-03
[9]
CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件
[P].
范晓
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范晓
;
陈广龙
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陈广龙
;
王函
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王函
.
中国专利
:CN112635504A
,2021-04-09
[10]
MOS器件的制作方法
[P].
于书坤
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于书坤
;
韦庆松
论文数:
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韦庆松
.
中国专利
:CN104465385A
,2015-03-25
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