CIS器件的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311229864.6
申请日
2023-09-21
公开(公告)号
CN117334706A
公开(公告)日
2024-01-02
发明(设计)人
张栋 范晓
申请人
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
H01L27/146
IPC分类号
H01L21/265
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
赵薇
法律状态
实质审查的生效
国省代码
江苏省 无锡市
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共 50 条
[1]
CIS器件的制作方法 [P]. 
于明道 ;
王晨旭 ;
郑晓辉 ;
张栋 ;
范晓 ;
王函 .
中国专利 :CN118248701A ,2024-06-25
[2]
CIS器件的制作方法 [P]. 
焦鹏 ;
王晓日 ;
程刘锁 .
中国专利 :CN111697016B ,2020-09-22
[3]
CIS器件的隔离结构制作方法 [P]. 
沈宇栎 ;
吴长明 ;
冯大贵 ;
王玉新 ;
余鹏 ;
杜闫 .
中国专利 :CN113270434A ,2021-08-17
[4]
CIS器件像素区的制作方法 [P]. 
周旭 ;
郭振强 ;
滕赛楠 ;
吴天承 .
中国专利 :CN115513236A ,2022-12-23
[5]
CIS器件的隔离沟槽制作方法 [P]. 
沈宇栎 ;
吴长明 ;
冯大贵 ;
王玉新 ;
余鹏 ;
杜闫 .
中国专利 :CN113113435A ,2021-07-13
[6]
栅极侧壁层的制作方法及MOS器件的制作方法 [P]. 
王海莲 ;
彭坤 ;
赵晓燕 .
中国专利 :CN104952723A ,2015-09-30
[7]
CIS的制作方法 [P]. 
李金鹏 ;
郑晓辉 ;
张栋 ;
范晓 .
中国专利 :CN117832239A ,2024-04-05
[8]
CIS的制作方法 [P]. 
赵德鹏 ;
范晓 ;
李睿 .
中国专利 :CN117976684A ,2024-05-03
[9]
CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件 [P]. 
范晓 ;
陈广龙 ;
王函 .
中国专利 :CN112635504A ,2021-04-09
[10]
MOS器件的制作方法 [P]. 
于书坤 ;
韦庆松 .
中国专利 :CN104465385A ,2015-03-25