半导体器件的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110526799.8
申请日
2021-05-14
公开(公告)号
CN113394160A
公开(公告)日
2021-09-14
发明(设计)人
李刚
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
埋层对准标识及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P]. 
范晓 .
中国专利 :CN112908966A ,2021-06-04
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
龚雪芹 ;
张彦飞 ;
刘梦新 ;
温霄霞 .
中国专利 :CN117153887B ,2024-02-23
[3]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李志勇 ;
余阳城 ;
孙科 .
中国专利 :CN117524880A ,2024-02-06
[4]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李志勇 ;
余阳城 ;
孙科 .
中国专利 :CN119403150B ,2025-11-18
[5]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李志勇 ;
余阳城 ;
孙科 .
中国专利 :CN117524880B ,2024-07-23
[6]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李志勇 ;
余阳城 ;
孙科 .
中国专利 :CN119403150A ,2025-02-07
[7]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101740393A ,2010-06-16
[8]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211121B ,2024-09-06
[9]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211121A ,2020-05-29
[10]
半导体器件的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101295675A ,2008-10-29