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半导体器件的制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110526799.8
申请日
:
2021-05-14
公开(公告)号
:
CN113394160A
公开(公告)日
:
2021-09-14
发明(设计)人
:
李刚
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
:
H01L21762
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
戴广志
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-09-14
公开
公开
2021-10-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210514
共 50 条
[1]
埋层对准标识及其制作方法、半导体器件及其制作方法
[P].
范晓
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
范晓
.
中国专利
:CN112908966A
,2021-06-04
[2]
半导体器件及其制作方法
[P].
龚雪芹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京中科新微特科技开发股份有限公司
北京中科新微特科技开发股份有限公司
龚雪芹
;
张彦飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京中科新微特科技开发股份有限公司
北京中科新微特科技开发股份有限公司
张彦飞
;
刘梦新
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京中科新微特科技开发股份有限公司
北京中科新微特科技开发股份有限公司
刘梦新
;
温霄霞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京中科新微特科技开发股份有限公司
北京中科新微特科技开发股份有限公司
温霄霞
.
中国专利
:CN117153887B
,2024-02-23
[3]
半导体器件的制作方法及半导体器件
[P].
李志勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
李志勇
;
余阳城
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
余阳城
;
孙科
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
孙科
.
中国专利
:CN117524880A
,2024-02-06
[4]
半导体器件的制作方法及半导体器件
[P].
李志勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
李志勇
;
余阳城
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
余阳城
;
孙科
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
孙科
.
中国专利
:CN119403150B
,2025-11-18
[5]
半导体器件的制作方法及半导体器件
[P].
李志勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
李志勇
;
余阳城
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
余阳城
;
孙科
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
孙科
.
中国专利
:CN117524880B
,2024-07-23
[6]
半导体器件的制作方法及半导体器件
[P].
李志勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
李志勇
;
余阳城
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
余阳城
;
孙科
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
孙科
.
中国专利
:CN119403150A
,2025-02-07
[7]
半导体器件的制作方法及半导体器件
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵猛
.
中国专利
:CN101740393A
,2010-06-16
[8]
半导体器件的制作方法与半导体器件
[P].
蔡宗叡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
蔡宗叡
.
中国专利
:CN111211121B
,2024-09-06
[9]
半导体器件的制作方法与半导体器件
[P].
蔡宗叡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蔡宗叡
.
中国专利
:CN111211121A
,2020-05-29
[10]
半导体器件的制作方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵猛
.
中国专利
:CN101295675A
,2008-10-29
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