半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710040247.6

申请日：

2007-04-24

公开(公告)号：

CN101295675A

公开(公告)日：

2008-10-29

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-29	公开	公开
2008-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-04-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制作方法 [P].

王津洲 ;

赵猛 .

中国专利 :CN100576512C ,2008-06-25

[2]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101740393A ,2010-06-16

[3]

半导体器件的制作方法与半导体器件 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111211121B ,2024-09-06

[4]

半导体器件的制作方法与半导体器件 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111211121A ,2020-05-29

[5]

半导体器件的制作方法 [P].

李志国 ;

蒙飞 ;

王培仁 .

中国专利 :CN101625976A ,2010-01-13

[6]

半导体器件的制作方法 [P].

彭冰清 .

中国专利 :CN102903665A ,2013-01-30

[7]

半导体器件的制作方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN104465378B ,2015-03-25

[8]

半导体器件的制作方法 [P].

刘艳 ;

周儒领 ;

黄淇生 ;

詹奕鹏 .

中国专利 :CN101964328B ,2011-02-02

[9]

半导体器件的制作方法及其制作的半导体器件 [P].

托马斯·P·瑞美尔 ;

斯瑞拉姆·卡尔帕特 ;

梅尔维·F·米勒尔 ;

彼德·朱彻尔 .

中国专利 :CN1930685A ,2007-03-14

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

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