半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810040355.8

申请日：

2008-07-08

公开(公告)号：

CN101625976A

公开(公告)日：

2010-01-13

发明(设计)人：

李志国蒙飞王培仁

申请人：

申请人地址：

201203上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-13	公开	公开
2010-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-03-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101551993823 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2008100403558 申请公布日:20100113

共 50 条

[1]

半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105990119B ,2016-10-05

[2]

半导体器件的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101295675A ,2008-10-29

[3]

半导体器件的制作方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103165515A ,2013-06-19

[4]

半导体器件的制作方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102097319A ,2011-06-15

[5]

半导体器件的制作方法 [P].

王津洲 ;

赵猛 .

中国专利 :CN100576512C ,2008-06-25

[6]

半导体器件的制作方法及其制作的半导体器件 [P].

托马斯·P·瑞美尔 ;

斯瑞拉姆·卡尔帕特 ;

梅尔维·F·米勒尔 ;

彼德·朱彻尔 .

中国专利 :CN1930685A ,2007-03-14

[7]

半导体器件的制作方法、半导体器件及其处理装置 [P].

刘一剑 ;

平延磊 .

中国专利 :CN112397372A ,2021-02-23

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101211970B ,2008-07-02

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN104716030B ,2015-06-17

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