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半导体器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311411804.6
申请日：
2023-10-27
公开(公告)号：
CN117153887B
公开(公告)日：
2024-02-23
发明(设计)人：
龚雪芹
张彦飞
刘梦新
温霄霞
申请人：
北京中科新微特科技开发股份有限公司
申请人地址：
100012 北京市朝阳区北苑路58号航空科技大厦17层
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/10
H01L29/423
H01L21/336
H01L21/20
H01L21/265
代理机构：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人：
娜拉
法律状态：
授权
国省代码：
北京市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-23 | 授权 | 授权 |